AgGaS2 — નોનલાઇનર ઓપ્ટિકલ ઇન્ફ્રારેડ ક્રિસ્ટલ્સ
ઉત્પાદન વર્ણન
પાતળી AgGaS2 (AGS) ક્રિસ્ટલ પ્લેટ્સ NIR તરંગલંબાઇના કઠોળને રોજગારી આપતા તફાવત આવર્તન જનરેશન દ્વારા મધ્ય IR શ્રેણીમાં અલ્ટ્રાશોર્ટ પલ્સ જનરેશન માટે લોકપ્રિય છે.
અરજીઓ
● CO અને CO2 પર જનરેશન સેકન્ડ હાર્મોનિક્સ - લેસર
● ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક ઓસિલેટર
● 12 mkm સુધીના મધ્યમ ઇન્ફ્રારેડ પ્રદેશો માટે વિવિધ આવર્તન જનરેટર.
● મધ્યમ IR પ્રદેશમાં 4.0 થી 18.3 µm સુધી આવર્તન મિશ્રણ
● ટ્યુન કરી શકાય તેવા સોલિડ સ્ટેટ લેસરો (એનડી:વાયએજી દ્વારા પમ્પ કરાયેલ OPO અને અન્ય લેસરો 0.1 થી 10% કાર્યક્ષમતા સાથે 1200 થી 10000 એનએમ પ્રદેશમાં કાર્યરત)
● આઇસોટ્રોપિક પોઈન્ટ (300 °K પર 0.4974 મીટર) નજીકના પ્રદેશમાં ઓપ્ટિકલ સાંકડી-બેન્ડ ફિલ્ટર્સ, તાપમાનની વિવિધતા પર ટ્રાન્સમિશન બેન્ડ ટ્યુન કરવામાં આવે છે
● 30% સુધી કાર્યક્ષમતા સાથે Nd:YAG, રુબી અથવા ડાઈ લેસરોનો ઉપયોગ કરીને/અથવા ઉપયોગ કરીને CO2 લેસર રેડિયેશન ઇમેજનું નજીકના-IR અથવા દૃશ્યમાન પ્રદેશમાં અપ-રૂપાંતરણ
લક્ષણો
● 0.25-5.0 mm માં ટ્રાન્સમિશન, 2-3 mm માં શોષણ નથી
● ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા
● પ્રત્યાવર્તન અને બિન-બાયરફ્રિંજન્સનો ઉચ્ચ સૂચકાંક
મૂળભૂત ગુણધર્મો
| ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર | ટેટ્રાગોનલ |
| સેલ પરિમાણો | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| ગલનબિંદુ | 851 °સે |
| ઘનતા | 5.700 ગ્રામ/સેમી3 |
| મોહસ કઠિનતા | 3-3.5 |
| શોષણ ગુણાંક | <0.05 સેમી-1 @ 1.064 µm <0.02 સેમી-1 @ 10.6 µm |
| સાપેક્ષ ડાઇલેક્ટ્રિક કોન્સ્ટન્ટ @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| થર્મલ વાહકતા | 1.0 W/M/°C |
લીનિયર ઓપ્ટિકલ પ્રોપર્ટીઝ
| પારદર્શિતા શ્રેણી | 0.50-13.2 અમ | |
| રીફ્રેક્ટિવ સૂચકાંકો | no | ne |
| @ 1.064 અમ | 2.4521 | 2.3990 |
| @ 5.300 um | 2.3945 | 2.3408 |
| @ 10.60um | 2.3472 | 2.2934 |
| થર્મો-ઓપ્ટિક ગુણાંક | dno/dt=15.4 x 10-5/°C dne/dt=15.5 x 10-5/°C | |
| Sellmeier સમીકરણો (ʎ in um) | no2=3.3970+2.3982/(1-0.09311/ʎ2) +2.1640/(1-950/ʎ2) ne2=3.5873+1.9533/(1-0.11066/ʎ2) +2.3391/(1-1030.7/ʎ2) | |
નોનલાઇનર ઓપ્ટિકલ પ્રોપર્ટીઝ
| તબક્કો મેચિંગ SHG શ્રેણી | 1.8-11.2 અમ |
| NLO ગુણાંક @ 1.064 um | d36=d24=d15=23.6 pm/V |
| લીનિયર ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિક ગુણાંક | Y41T=4.0 pm/V Y63T=3.0 pm/V |
| નુકસાન થ્રેશોલ્ડ @ ~ 10 ns, 1.064 um | 25 MW/cm2(સપાટી), 500 MW/cm2(બલ્ક) |
મૂળભૂત પરિમાણો
| વેવફ્રન્ટ વિકૃતિ | λ/6 @ 633 nm કરતાં ઓછું |
| પરિમાણ સહનશીલતા | (W +/-0.1 mm) x (H +/-0.1 mm) x (L +0.2 mm/-0.1 mm) |
| છિદ્ર સાફ કરો | > 90% કેન્દ્રીય વિસ્તાર |
| સપાટતા | T>=1.0mm માટે λ/6 @ 633 nm |
| સપાટી ગુણવત્તા | સ્ક્રેચ/ડિગ 20/10 પ્રતિ MIL-O-13830A |
| સમાંતરવાદ | 1 આર્ક મિનિટ કરતાં વધુ સારી |
| લંબરૂપતા | 5 આર્ક મિનિટ |
| કોણ સહનશીલતા | Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o |
