ZnGeP2 - એક સંતૃપ્ત ઇન્ફ્રારેડ નોનલાઇનર ઓપ્ટિક્સ
ઉત્પાદન વર્ણન
આ અનન્ય ગુણધર્મોને લીધે, તે બિનરેખીય ઓપ્ટિકલ એપ્લિકેશન્સ માટે સૌથી આશાસ્પદ સામગ્રી તરીકે ઓળખાય છે.ZnGeP2 ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક ઓસિલેશન (OPO) ટેકનોલોજી દ્વારા 3-5 μm સતત ટ્યુનેબલ લેસર જનરેટ કરી શકે છે.3-5 μm ની વાતાવરણીય ટ્રાન્સમિશન વિંડોમાં કાર્યરત લેસર, ઇન્ફ્રારેડ કાઉન્ટર મેઝર, રાસાયણિક દેખરેખ, તબીબી ઉપકરણ અને રિમોટ સેન્સિંગ જેવા ઘણા કાર્યક્રમો માટે ખૂબ મહત્વ ધરાવે છે.
અમે અત્યંત ઓછા શોષણ ગુણાંક α <0.05 cm-1 (પંપ તરંગલંબાઇ 2.0-2.1 µm પર) સાથે ઉચ્ચ ઓપ્ટિકલ ગુણવત્તા ZnGeP2 ઓફર કરી શકીએ છીએ, જેનો ઉપયોગ OPO અથવા OPA પ્રક્રિયાઓ દ્વારા ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા સાથે મિડ-ઇન્ફ્રારેડ ટ્યુનેબલ લેસર જનરેટ કરવા માટે કરી શકાય છે.
અમારી ક્ષમતા
ZnGeP2 પોલીક્રિસ્ટલાઇનને સંશ્લેષણ કરવા માટે ડાયનેમિક ટેમ્પરેચર ફીલ્ડ ટેકનોલોજી બનાવવામાં આવી હતી અને લાગુ કરવામાં આવી હતી.આ ટેક્નોલોજી દ્વારા, 500g થી વધુ ઉચ્ચ શુદ્ધતા ZnGeP2 પોલીક્રિસ્ટલાઈન વિશાળ અનાજ સાથે એક રનમાં સંશ્લેષણ કરવામાં આવ્યું છે.
ડાયરેક્શનલ નેકિંગ ટેક્નોલોજી (જે અવ્યવસ્થાની ઘનતાને અસરકારક રીતે ઘટાડી શકે છે) સાથે જોડાયેલી હોરિઝોન્ટલ ગ્રેડિયન્ટ ફ્રીઝ પદ્ધતિ ઉચ્ચ ગુણવત્તાની ZnGeP2 ની વૃદ્ધિ માટે સફળતાપૂર્વક લાગુ કરવામાં આવી છે.
વિશ્વના સૌથી મોટા વ્યાસ (Φ55 mm) સાથે કિલોગ્રામ-સ્તરની ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળી ZnGeP2 સફળતાપૂર્વક વર્ટિકલ ગ્રેડિયન્ટ ફ્રીઝ પદ્ધતિ દ્વારા ઉગાડવામાં આવી છે.
ક્રિસ્ટલ ઉપકરણોની સપાટીની ખરબચડી અને સપાટતા, અનુક્રમે 5Å અને 1/8λ કરતા ઓછી, અમારી ટ્રેપ ફાઈન સરફેસ ટ્રીટમેન્ટ ટેકનોલોજી દ્વારા મેળવવામાં આવી છે.
ચોક્કસ અભિગમ અને ચોક્કસ કટીંગ તકનીકોના ઉપયોગને કારણે ક્રિસ્ટલ ઉપકરણોનું અંતિમ કોણ વિચલન 0.1 ડિગ્રી કરતા ઓછું છે.
સ્ફટિકોની ઉચ્ચ ગુણવત્તા અને ઉચ્ચ-સ્તરની ક્રિસ્ટલ પ્રોસેસિંગ ટેક્નોલોજી (3-5μm મિડ-ઇન્ફ્રારેડ ટ્યુનેબલ લેસર જ્યારે 2μm પ્રકાશ દ્વારા પમ્પ કરવામાં આવે ત્યારે 56% કરતા વધુ રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતા સાથે જનરેટ કરવામાં આવ્યું છે. સ્ત્રોત).
અમારા સંશોધન જૂથે, સતત શોધખોળ અને તકનીકી નવીનતા દ્વારા, ઉચ્ચ-શુદ્ધતા ZnGeP2 પોલીક્રિસ્ટલાઇનની સંશ્લેષણ તકનીક, મોટા કદની અને ઉચ્ચ ગુણવત્તાની ZnGeP2 અને ક્રિસ્ટલ ઓરિએન્ટેશન અને ઉચ્ચ-ચોકસાઇ પ્રોસેસિંગ તકનીકમાં સફળતાપૂર્વક નિપુણતા પ્રાપ્ત કરી છે;ઉચ્ચ એકરૂપતા, નીચા શોષણ ગુણાંક, સારી સ્થિરતા અને ઉચ્ચ રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતા સાથે મોટા પાયે ZnGeP2 ઉપકરણો અને મૂળ તરીકે ઉગાડવામાં આવેલા સ્ફટિકો પ્રદાન કરી શકે છે.તે જ સમયે, અમે ક્રિસ્ટલ પર્ફોર્મન્સ ટેસ્ટિંગ પ્લેટફોર્મનો સંપૂર્ણ સેટ સ્થાપિત કર્યો છે જે અમને ગ્રાહકો માટે ક્રિસ્ટલ પર્ફોર્મન્સ ટેસ્ટિંગ સેવાઓ પ્રદાન કરવાની ક્ષમતા બનાવે છે.
અરજીઓ
● CO2-લેસરની બીજી, ત્રીજી અને ચોથી હાર્મોનિક પેઢી
● 2.0 µm ની તરંગલંબાઇ પર પમ્પિંગ સાથે ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક જનરેશન
● CO-લેસરની બીજી હાર્મોનિક પેઢી
● સબમિલિમીટર રેન્જમાં 70.0 µm થી 1000 µm સુધી સુસંગત રેડિયેશન ઉત્પન્ન કરવું
● CO2- અને CO-લેસર રેડિયેશન અને અન્ય લેસરોની સંયુક્ત ફ્રીક્વન્સીઝનું નિર્માણ ક્રિસ્ટલ પારદર્શિતા પ્રદેશમાં કામ કરી રહ્યું છે.
મૂળભૂત ગુણધર્મો
| કેમિકલ | ZnGeP2 |
| ક્રિસ્ટલ સપ્રમાણતા અને વર્ગ | ટેટ્રાગોનલ, -42 મી |
| જાળીના પરિમાણો | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| ઘનતા | 4.162 g/cm3 |
| મોહસ કઠિનતા | 5.5 |
| ઓપ્ટિકલ વર્ગ | હકારાત્મક અક્ષીય |
| યુઝરફુલ ટ્રાન્સમિશન રેન્જ | 2.0 um - 10.0 um |
| થર્મલ વાહકતા @ T= 293 કે | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| થર્મલ વિસ્તરણ @ T = 293 K થી 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
ટેકનિકલ પરિમાણો
| વ્યાસ સહનશીલતા | +0/-0.1 મીમી |
| લંબાઈ સહનશીલતા | ±0.1 મીમી |
| ઓરિએન્ટેશન સહિષ્ણુતા | <30 આર્કમિન |
| સપાટી ગુણવત્તા | 20-10 એસડી |
| સપાટતા | <λ/4@632.8 nm |
| સમાંતરવાદ | <30 આર્સેક |
| લંબરૂપતા | <5 આર્કમિન |
| ચેમ્ફર | <0.1 mm x 45° |
| પારદર્શિતા શ્રેણી | 0.75 - 12.0 ?મી |
| બિનરેખીય ગુણાંક | d36 = 68.9 pm/V (10.6μm પર) d36 = 75.0 pm/V (9.6 μm પર) |
| નુકસાન થ્રેશોલ્ડ | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
